一：
磁致電阻技術(shù)百科
問(wèn)題1：巨磁電阻材料的簡(jiǎn)介
答：巨磁電阻薄膜材料的廣泛研究始于1988年Baibich等人的一個(gè)驚人的發(fā)現(xiàn),即在由Fe、Cr交替沉積形成的多層膜中發(fā)現(xiàn)了超過(guò)50%的磁電阻變化率,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了多層膜中層磁致電阻的總和,這種現(xiàn)象稱(chēng)為巨磁電阻效應(yīng)(GMR)。
問(wèn)題2：我的s1精英版rom變成了128Mram也是128M
磁致電阻答：通過(guò)改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導(dǎo)體的磁致電阻(magnetoresistance)就會(huì)發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過(guò)它的電流就會(huì)變小，反之亦然。因此，只需用一個(gè)三極管來(lái)判斷加電時(shí)的電流數(shù)值就能夠判斷鐵磁體磁場(chǎng)方向的兩種不同狀態(tài)來(lái)。
問(wèn)題3：手機(jī)傳感器的作用是什么
答：原理:各向異性磁致電阻材料,感受到微弱的磁場(chǎng)變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致自身電阻產(chǎn)生變化,所以手機(jī)要旋轉(zhuǎn)或晃動(dòng)幾下才能準(zhǔn)確指示方向。用途:指南針、地圖導(dǎo)航方向、金屬探測(cè)器APP。六、陀螺儀:原理:角動(dòng)量守恒,一個(gè)正在高速旋轉(zhuǎn)的物體(陀螺),它的。
問(wèn)題4：變化電磁場(chǎng)的能量密度
磁致電阻答：導(dǎo)體的橫向兩側(cè)將出現(xiàn)電位差，即產(chǎn)生霍耳效應(yīng);磁場(chǎng)可使載流導(dǎo)體或半導(dǎo)體的電阻發(fā)生變化，即產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)，等等。描述磁場(chǎng)的基本物理量是磁感應(yīng)強(qiáng)度B和重要的輔助量磁場(chǎng)強(qiáng)度H。恒定磁場(chǎng)和時(shí)變磁場(chǎng)在空間某區(qū)域內(nèi)，若各處的。
問(wèn)題5：手機(jī)傳感器有哪些
答：磁場(chǎng)傳感器就是可以測(cè)量地磁場(chǎng)的傳感器，由各向異性磁致電阻材料構(gòu)成，這些材料感受到微弱的磁場(chǎng)變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致自身電阻產(chǎn)生變化，輸出的電壓就會(huì)改變，就可以以此判斷出地磁場(chǎng)的朝向。磁場(chǎng)傳感器主要用于手機(jī)指南針、輔助導(dǎo)航系統(tǒng)。
問(wèn)題6：空心納米顆粒在哪些方面應(yīng)用廣泛
答：空心納米顆粒在哪些方面應(yīng)用廣泛用途很多,比如用在數(shù)字存儲(chǔ)(硬盤(pán)\光盤(pán))技術(shù)上,當(dāng)代計(jì)算機(jī)硬盤(pán)系統(tǒng)的磁記錄密度超過(guò)155Gb/cm2,在這情況下,感應(yīng)法讀出磁頭和普通坡莫合金磁電阻磁頭的磁致電阻效應(yīng)為3%,已不能滿(mǎn)足需要,而。
問(wèn)題7：什么是磁電阻效應(yīng)?什么是巨磁阻效應(yīng)?
答：具體如下:1、磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中（1）△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；（2）ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻。
問(wèn)題8：什么是磁電阻效應(yīng)?什么是巨磁阻效應(yīng)?
答：具體如下:1、磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中（1）△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；（2）ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻。
問(wèn)題9：什么叫磁阻效應(yīng)
答：?jiǎn)栴}一：什么叫做磁阻效應(yīng)1謂磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中△ρ――有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；ρ0――無(wú)。
問(wèn)題10：什么是磁電阻效應(yīng)?什么是巨磁阻效應(yīng)
答：具體如下:1、磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中（1）△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；（2）ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻。
二：
磁致電阻技術(shù)資料
問(wèn)題1：手機(jī)傳感器有哪些
答：磁場(chǎng)傳感器就是可以測(cè)量地磁場(chǎng)的傳感器，由各向異性磁致電阻材料構(gòu)成，這些材料感受到微弱的磁場(chǎng)變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致自身電阻產(chǎn)生變化，輸出的電壓就會(huì)改變，就可以以此判斷出地磁場(chǎng)的朝向。磁場(chǎng)傳感器主要用于手機(jī)指南針、輔助導(dǎo)航系統(tǒng)。
問(wèn)題2：空心納米顆粒在哪些方面應(yīng)用廣泛
答：空心納米顆粒在哪些方面應(yīng)用廣泛用途很多,比如用在數(shù)字存儲(chǔ)(硬盤(pán)\光盤(pán))技術(shù)上,當(dāng)代計(jì)算機(jī)硬盤(pán)系統(tǒng)的磁記錄密度超過(guò)155Gb/cm2,在這情況下,感應(yīng)法讀出磁頭和普通坡莫合金磁電阻磁頭的磁致電阻效應(yīng)為3%,已不能滿(mǎn)足需要,而。
問(wèn)題3：怎樣提高納米顆粒之間的導(dǎo)電能力
答：空納米顆粒哪些面應(yīng)用廣泛用途,比用數(shù)字存儲(chǔ)(硬盤(pán)\光盤(pán))技術(shù),代計(jì)算機(jī)硬盤(pán)系統(tǒng)磁記錄密度超155Gb/cm2,情況,應(yīng)讀磁普通坡莫合金磁電阻磁磁致電阻效應(yīng)3%,已能滿(mǎn)足需要,納米層膜系統(tǒng)巨磁電阻效應(yīng)高達(dá)50%,用于信息存儲(chǔ)磁。
問(wèn)題4：什么叫磁阻效應(yīng)?
答：?jiǎn)栴}一：什么叫做磁阻效應(yīng)1謂磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中△ρ――有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；ρ0――無(wú)。
問(wèn)題5：什么是磁電阻效應(yīng)?什么是巨磁阻效應(yīng)?
磁致電阻答：具體如下:1、磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中（1）△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；（2）ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻。
問(wèn)題6：什么是磁電阻效應(yīng)?什么是巨磁阻效應(yīng)
答：具體如下:1、磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中（1）△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；（2）ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻。
問(wèn)題7：什么叫磁阻效應(yīng)
磁致電阻答：?jiǎn)栴}一：什么叫做磁阻效應(yīng)1謂磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中△ρ――有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；ρ0――無(wú)。
問(wèn)題8：magnetoresis-tanceeffect是什么效應(yīng)應(yīng)該是物理類(lèi)的
答：所謂磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻率；ρB——有磁場(chǎng)。
問(wèn)題9：與元件幾何形狀有關(guān)的磁電阻效應(yīng)是什么意思
答：謂磁電阻效應(yīng)，是指對(duì)通電的金屬或半導(dǎo)體施加磁場(chǎng)作用時(shí)會(huì)引起電阻值的變化。其全稱(chēng)是磁致電阻變化效應(yīng)。磁電阻效應(yīng)可以表達(dá)為式中△ρ——有磁場(chǎng)和無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻率的變化量；ρ0——無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的電阻率；ρB——有磁場(chǎng)時(shí)。
問(wèn)題10：請(qǐng)問(wèn)2007年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)“巨磁電阻”相關(guān)知識(shí)
答：:在通有電流的金屬或半導(dǎo)體上施加磁場(chǎng)時(shí)，其電阻值將發(fā)生明顯變化，這種現(xiàn)象稱(chēng)為磁致電阻效應(yīng)，也稱(chēng)磁電阻效應(yīng)(MR)。目前，已被研究的磁性材料的磁電阻效應(yīng)可以大致分為:由磁場(chǎng)直接引起的磁性材料的正常磁電阻(OMR，ordinaryMR。
三 ：