一：
安裝車載晶體生長技術(shù)技術(shù)百科
問題1：提拉法和導(dǎo)模法生長寶石晶體
答：晶體提拉技術(shù)的原理可以用圖4-1-4來說明。生長設(shè)備包括:坩堝、熔體(原料)、籽晶與晶體提拉機構(gòu)、加熱器及功率控制、溫度控制系統(tǒng)、爐體及氧氣控制系統(tǒng)、后加熱器等,將待生長的原料放在合適的坩堝內(nèi)熔化,裝上定向的籽晶,降下籽晶桿。
問題2：晶體的生長方式有哪幾種?
答：晶體生長方式和速率與界面結(jié)構(gòu)是密切相關(guān)的，按界面結(jié)構(gòu)不同可將晶體生長方式分為1、完整光滑面的生長（二維晶核生長）2、非完整光滑面的生長--（1）借螺位錯長大、（2）孿晶生長的機制3、粗糙界面的生長。
問題3：晶體生長的理論
安裝車載晶體生長技術(shù)答：下面介紹關(guān)于晶體生長的兩種主要的理論?？迫麪?Kossel，1927)首先提出，后經(jīng)斯特蘭斯基(Stranski)加以發(fā)展的晶體的層生長理論亦稱為科塞爾—斯特蘭斯基理論。它是論述在晶核的光滑表面上生長一層原子面時，質(zhì)點在界面上進入晶格。
問題4：icl晶體植入是什么技術(shù)?
安裝車載晶體生長技術(shù)答：ICL晶體植入術(shù)是內(nèi)戴式隱形眼鏡，全稱為ImplantableCollamerlens,又叫“晶體眼鏡”。Collamer材料是目前世界上最先進的晶體材料，具有柔軟、可折疊和高度生物相容性的特點。這種材料專門為眼睛設(shè)計，其含水量高，能減少反射。
問題5：晶體生長機制及生長速度
答：當(dāng)穩(wěn)定晶核形成以后，在一定的溫度和過飽和度條件下，晶體按一定的速度生長。晶體生長類似擴散過程，它取決于分子或原子從熔體（液相）中分出向界面擴散的能力（如圖9-12）。界面上液體一側(cè)中一個原子或分子的自由能為Gl。
問題6：針對晶體材料生長的模擬仿真軟件?
答：二、CGSim軟件---可以模擬提拉法（CZ）、液封直拉法（LEC）、蒸汽壓力控制提拉法（VCZ），泡生法（Ky），熱交換法（HEM）、定向凝固法（DS），布里奇曼法（亦稱坩堝下降法）晶體生長過程。軟件能夠?qū)w生長過程的溫場。
問題7：晶體生長模型
答：晶核形成后，將進一步成長。下面介紹關(guān)于晶體生長的幾種主要的模型。1層生長理論模型科塞爾（Kossel，1927）首先提出、后經(jīng)斯特蘭斯基（Stranski）加以發(fā)展的晶體的層生長理論亦稱為科塞爾-斯特蘭斯基理論。這一模型要討論的。
問題8：晶體生長過程
安裝車載晶體生長技術(shù)答：晶體的生產(chǎn)過程通常是以一個雜質(zhì)或者說微晶作為結(jié)晶的中心點，然后向外逐漸加入晶體的溶質(zhì)慢慢生長出來的。
問題9：寶石晶體水熱法生長的原理和技術(shù)
答：寶石晶體水熱法生長原理是:將待生長寶石晶體所需原料溶解于高溫高壓的礦化劑水溶液中而形成飽和溶液,并采取適當(dāng)技術(shù)措施將飽和溶液再轉(zhuǎn)化為過飽和溶液,而寶石晶體則在此過飽和溶液中或成核生長或籽晶生長,最終生成塊狀寶石晶體。目前普遍。
問題10：安裝人工晶體治療近視眼和散光的問題
安裝車載晶體生長技術(shù)答：這種手術(shù)的原則是讓高度近視者提高視覺質(zhì)量的，分為兩種：一種是要摘除原來的晶體，然后根據(jù)你的屈光不正度數(shù)來計算，裝入合適的人工晶體來矯正你的度數(shù)。這種多是用于老年人，并發(fā)有白內(nèi)障的才會使用此方法；第二種是不摘除。
二：
安裝車載晶體生長技術(shù)技術(shù)資料
問題1：什么是晶體生長?
答：crystalgrowth物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液相、固相轉(zhuǎn)化，形成特定線度尺寸晶體的過程稱為晶體生長。其原理基于物種晶相化學(xué)勢與該物種在相關(guān)物相中化學(xué)勢間準(zhǔn)平衡關(guān)系的合理維持。如在溶液中的。
問題2：晶體的生長
答：物質(zhì)在一定溫度、壓力、濃度、介質(zhì)、pH等條件下由氣相、液相、固相轉(zhuǎn)化，形成特定線度尺寸晶體的過程稱為晶體生長。其原理基于物種晶相化學(xué)勢與該物種在相關(guān)物相中化學(xué)勢間準(zhǔn)平衡關(guān)系的合理維持。如在溶液中的晶體生長要求在平衡。
問題3：晶體生長的途徑
安裝車載晶體生長技術(shù)答：晶體是在物相的轉(zhuǎn)變過程中形成的。如果將物質(zhì)按氣相、液相和固相劃分，則從相轉(zhuǎn)變的角度看，晶體的形成途徑也便有3種。1由氣相轉(zhuǎn)變?yōu)榫w當(dāng)某些氣體處于過飽和蒸氣壓或過冷卻溫度條件時，可直接轉(zhuǎn)變?yōu)榫w。從火山口噴發(fā)。
問題4：目前商用半導(dǎo)體單晶硅主要的晶體生長方法是什么?
答：目前商用半導(dǎo)體單晶硅主要以真空電解和真空精煉來拉出晶圓柱，再反覆精煉，使晶柱累積成長。
問題5：國內(nèi)做ICL晶體植入術(shù)技術(shù)成熟了嗎?
安裝車載晶體生長技術(shù)答：您好，您可以考慮做ICL晶體植入術(shù)ICL適合50-2000以內(nèi)的近視度數(shù)，是高度近視的福音。優(yōu)勢一:手術(shù)簡單，安全快捷:手術(shù)切口小，手術(shù)后立即見效，不會改變眼球組織的結(jié)構(gòu)和形狀。優(yōu)勢二:矯治范圍廣，不損傷角膜:可用于矯正大范圍。
問題6：ICL晶體植入技術(shù)現(xiàn)在成熟么,有點擔(dān)心技術(shù)部成熟,有人做過這個手術(shù)么
答：你好，這個技術(shù)現(xiàn)在是非常成熟的，做的人也是非常多的，您不必過多的擔(dān)心的，CL人工晶體植入手術(shù)矯正屈光不正，視覺質(zhì)量高、效果好，是目前矯正屈光不正的主流手術(shù)，尤其是高度近視眼患者。因為手術(shù)屬于眼內(nèi)手術(shù)，均可以引起不。
問題7：什么是晶體生長方向?
答：你說的是晶向指數(shù),晶向指數(shù)的確定步驟如下:(1)以晶胞的三個棱邊為坐標(biāo)軸X\Y\Z,以棱邊為長度作為坐標(biāo)軸的長度單位;(2)從坐標(biāo)軸原點引一有向直線平等于待定晶向;(3)在所引有向直線上任取一點,求出該點在X\Y\Z。
問題8：晶體的層生長與螺旋生長
答：晶核是晶體生長的中心。晶核形成以后，圍繞晶核的生長，實際上就是溶液或熔體中的其他質(zhì)點，按照格子構(gòu)造規(guī)律不斷地堆積在晶核上，使晶核逐漸長成晶體的過程。那么質(zhì)點是如何堆積到晶核上長成晶體的呢？下面重點介紹兩個有。
問題9：ICL(晶體眼后房型人工晶體植入術(shù))技術(shù)的出現(xiàn),效果怎么樣?
答：您好，您可以考慮做ICL晶體植入術(shù)ICL適合50-2000以內(nèi)的近視度數(shù)，是高度近視的福音。優(yōu)勢一:手術(shù)簡單，安全快捷:手術(shù)切口小，手術(shù)后立即見效，不會改變眼球組織的結(jié)構(gòu)和形狀。優(yōu)勢二:矯治范圍廣，不損傷角膜:可用于矯正大范圍。
問題10：晶體生長中,什么是組分過冷啊?其形成機制是什么樣的?對晶體生長有什么影
答：另一種情況相反,雜質(zhì)含量導(dǎo)致凝固點升高,熔體內(nèi)本不該凝固的地方提前凝固這些現(xiàn)象都會擾亂正常的晶體生長,說簡單點就是從很小的尺寸上打亂原本我們需要的結(jié)晶次序結(jié)果會導(dǎo)致晶體中出現(xiàn)各種缺陷,嚴(yán)重者會導(dǎo)致整個晶體生長失敗。
三 ：