一：
半導(dǎo)體擴(kuò)散技術(shù)百科
問題1：電子在電路中由于遷移導(dǎo)電,在半導(dǎo)體中由于擴(kuò)散尋電不也受外電場影嗎
答：電子在電路中由于遷移導(dǎo)電，在半導(dǎo)體中由于擴(kuò)散尋電是要受外電場影響的。比如：霍爾元件就是使用這個(gè)原理制作而成的。霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場傳感器。霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（AHHall。
問題2：擴(kuò)散區(qū)什么叫半導(dǎo)體的擴(kuò)散區(qū)還有有源區(qū)是什么意思?
答：黑龍江新大族激光設(shè)備有限公司地處冰城哈爾濱，是由中國激光行業(yè)幾位知名專家，共同投資組建的一家科技先導(dǎo)型激光應(yīng)用設(shè)備制造商。主要研發(fā)制造銷售激光打標(biāo)機(jī)，激光噴碼機(jī)，激光切割機(jī)，激光焊接機(jī)，氣動(dòng)打標(biāo)機(jī)，電動(dòng)打標(biāo)機(jī)，劃。
問題3：半導(dǎo)體diffusion部門,這個(gè)部門怎么樣?
答：半導(dǎo)體“擴(kuò)散”部門。分為擴(kuò)散工藝技術(shù)和擴(kuò)散設(shè)備檢測、維修技術(shù)兩個(gè)方面。擴(kuò)散工藝技術(shù)主要是對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行高溫?fù)诫s的操作、控制等工作，需要具備一定的半導(dǎo)體器件和IC的知識(shí)。擴(kuò)散設(shè)備的檢測、維修，主要的工作對(duì)象是擴(kuò)散爐。
問題4：半導(dǎo)體中空穴真的可以通過擴(kuò)散作用運(yùn)動(dòng)嗎
半導(dǎo)體擴(kuò)散答：是的。本質(zhì)是電子通過擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，缺乏電子的“空穴”反向運(yùn)動(dòng)。
問題5：baking在半導(dǎo)體擴(kuò)散中的作用和影響
答：SiC材料是一種疏松多孔的材料，很容易儲(chǔ)藏一層水汽等，如果有水汽的話，你的drivein和diffusion就難以控制了。當(dāng)應(yīng)用于高溫drivein和LPCVDPoly等工藝時(shí)，SiC材質(zhì)還需要CVDcoating。溫度為1100以上，時(shí)間根據(jù)你是否剛清洗。
問題6：我想了解半導(dǎo)體擴(kuò)散黃光蝕刻理論知識(shí)
答：可以去買一本《半導(dǎo)體工藝》方面的書，我記得以前一本很厚的講半導(dǎo)體工藝的，可惜不是做工藝的也沒耐心看下去，你看一本書以后，就知道基本理論了，想了解更深入，可以再去看書后面的參考文獻(xiàn)。
問題7：半導(dǎo)體中耗盡區(qū)和漂移區(qū)各自是什么意思
答：在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散,電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散空穴和電子相遇而復(fù)合,載流子消失因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子,卻有分布在空間的帶電的固定離子,稱為空間電荷區(qū)P型半導(dǎo)體。
問題8：半導(dǎo)體基本原理
半導(dǎo)體擴(kuò)散答：結(jié)論：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對(duì)溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型。
問題9：PN結(jié)是什么?
答：N型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí),在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散,電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散。空穴和電子相遇而復(fù)合,載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段距離缺少載流子。
問題10：半導(dǎo)體的分類
答：半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵。
二：
半導(dǎo)體擴(kuò)散技術(shù)資料
問題1：半導(dǎo)體漂移電流和擴(kuò)散電流的載流子(都是電子吧?)在結(jié)區(qū)(空間電荷區(qū))是
答：載流子是承載電流的粒子，可以是電子也可以是Electronhole。1、漂移電流的理解：在一個(gè)PN結(jié)二極管中，電子和Electronhole分別是P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子。由于載流子的擴(kuò)散形成的從P到N區(qū)的擴(kuò)散電流，恰好能與等量相反的漂移。
問題2：半導(dǎo)體的作用
答：把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成。
問題3：利用分子擴(kuò)散向半導(dǎo)體參入其他元素的原理
答：擴(kuò)散會(huì)從雜質(zhì)擴(kuò)散轉(zhuǎn)化為本征擴(kuò)散（熱擴(kuò)散），不利于參雜。分類及性能元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的。
問題4：想知道半導(dǎo)體是什么?
答：半導(dǎo)體（semiconductor）指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵。
問題5：半導(dǎo)體漂移擴(kuò)散模型中,n是電子濃度,n_d是摻雜濃度,n是不是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于n
答：不，一般載流子濃度約等于摻雜濃度，因?yàn)閾诫s的目的就是提高載流子濃度，比如Si，ni大約10^10，ND大約10^15，因?yàn)閾诫s濃度很低沒有意義，這樣得到的電子濃度就約等于ND了，一般ND是施主能級(jí)，如果Si作為半導(dǎo)體材料的話，P（磷。
問題6：半導(dǎo)體二極管為什么能單向?qū)щ娔?
答：N型半導(dǎo)體中有許多可動(dòng)的負(fù)電子和固定的正離子。當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，在界面附近空穴從P型半導(dǎo)體向N型半導(dǎo)體擴(kuò)散，電子從N型半導(dǎo)體向P型半導(dǎo)體擴(kuò)散?？昭ê碗娮酉嘤龆鴱?fù)合，載流子消失。因此在界面附近的結(jié)區(qū)中有一段。
問題7：半導(dǎo)體是什么工作
答：把一塊半導(dǎo)體的一邊制成P型區(qū)，另一邊制成N型區(qū)，則在交界處附近形成一個(gè)具有特殊性能的薄層，一般稱此薄層為PN結(jié)。圖中上部分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體界面兩邊載流子的擴(kuò)散作用（用黑色箭頭表示）。中間部分為PN結(jié)的形成。
問題8：半導(dǎo)體導(dǎo)電時(shí),復(fù)合電流與擴(kuò)散電流的區(qū)別?是否導(dǎo)電時(shí)這兩種電流同時(shí)在導(dǎo)
答：半導(dǎo)體導(dǎo)電時(shí)復(fù)合電流擴(kuò)散電流的區(qū)別是否導(dǎo)電導(dǎo)電時(shí)這里是在導(dǎo)電的是在導(dǎo)電的。
問題9：半導(dǎo)體參雜濃度大了,二極管的結(jié)邊緣處的少子擴(kuò)散電流應(yīng)該大了還是小了
答：你說的對(duì)，不是少子漂移、而是少子擴(kuò)散電流為主，更不是多子擴(kuò)散電流！但是，二極管兩邊半導(dǎo)體的摻雜濃度增大后，二極管的少子擴(kuò)散電流將有所減??！因?yàn)榻Y(jié)邊緣處的少子濃度是該處平衡載流子濃度的exp（qV/kT）倍；摻雜濃度越高。
問題10：什么是“半導(dǎo)體”和“超導(dǎo)體”?
半導(dǎo)體擴(kuò)散答：半導(dǎo)體（semiconductor）指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。超導(dǎo)體（英文名：superconductor），又稱為超導(dǎo)材料，指在某一溫度下，電阻為零的導(dǎo)體。在實(shí)驗(yàn)中，若導(dǎo)體電阻的測量值低于一個(gè)極。
三 ：