一：
mosfet控制電路技術百科
問題1：mos管ds之間的電流如何通過g的電壓控制電路
答：m0S管dS之間的電流如何通過g極的電壓控制電路?！愣加眠\放做電壓比較器進行電壓比較后輸出經限流電阻接到g極，比較電壓輸出大小給g極從而可以控制dS極的導通電流。
問題2：怎樣用MOS管做開關電路
答：輸處一個控制電壓到PWR_ON再通過R24、R13分壓送到Q2的基極，保持Q2一直處于導通狀態(tài)，即使你松開開機鍵斷開Q1的基極電壓，這時候有主控送來的控制電壓保持著，Q2也就一直能夠處于導通狀態(tài)，Q1就能源源不斷的給3v穩(wěn)壓IC提供。
問題3：P溝道MOS管開關電路
答：P溝道MOS管開關電路圖：MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中。
問題4：MOSFET控制電源輸出,實際輸出電壓偏低,是什么會事?
mosfet控制電路答：這是變壓器有飽和現象，或者線端口接觸不良導致?？刂破鳎╟ontroller）是機器的核心。標準定義為：按照預定順序改變主電路或控制電路的接線和改變電路中電阻值來控制電動機的啟動、調速、制動和反向的主令裝置。由程序計數器。
問題5：Multisim搭的MOSFET同步整流電路,有點問題,求大神指點
mosfet控制電路答：MOSFET的開關控制電壓是v(gs)。因此，V1應該加在Q1的g和s之間，而非g和地之間；Q2的d和g位置反了，V3不能加到Q2的g和s之間，故不能控制Q2的通、斷；而且Q2內部的寄生二極管會將Q1導通的電源電壓短路到地。V1與V3。
問題6：與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點?
答：漏源極之間擊穿這是MOSFET最嚴重的一種失效模式,通常不易發(fā)生發(fā)生后會導致短路而非斷路會導致強電源灌進弱電部分,如輸入電壓直接進入控制芯片而燒毀很多控制電路通常是持續(xù)溫度太高引起的（管芯溫度大面積超過200度持續(xù)。
問題7：mos管在電路中的作用
答：MOS即MOSFET全稱金屬氧化膜絕緣柵型場效應管，有門極Gate,源極Source,漏極Drain通過給Gate加電壓產生電場控制S/D之間的溝道電子或者空穴密度（或者說溝道寬度）來改變S/D之間的阻抗。這是一種簡單好用，接近理想的。
問題8：求PWM控制MOSFET的DC-DC降壓轉換器的電路圖。
答：我不能插入圖片，我給你說一下就明白了。一個MOSFET，一個二極管，一個電感和一個電容，BUCK電路本身就是一個降壓電路。電容并聯(lián)到輸出端，電感串聯(lián)到電路中，他們都是儲能元件，然后，芯片PWM信號控制MOSFET管的開斷。
問題9：MOSFET為什么要驅動電路
答：因為MOSFET的柵極電壓通常都比較“奇葩”，不能直接與數字電路等控制電路對接，所以需要一個驅動電路來轉換電平以及改善一些信號特性（比如脈沖邊沿）。
問題10：IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅動電路各有什么特點
mosfet控制電路答：關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路，關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。電力MOSFET驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的輸入電阻，驅動功率小且電路簡單。
二：
mosfet控制電路技術資料
問題1：n型mosfeth橋直流電機驅動電路
mosfet控制電路答：H橋高邊驅動MOS管（上面兩個）應該要用P-MOS；分左右兩邊半橋，單邊半橋共用同一個控制信號，則同一時間只會有一個（上或下）MOS管導通。
問題2：Pmos管開關電路?
答：下圖是兩種PMOS管經典開關電路應用：其中第一種NMOS管為高電平導通，低電平截斷，Drain端接后面電路的接地端；第二種為PMOS管典型開關電路，為高電平斷開，低電平導通，Drain端接后面電路的VCC端。首先要進行MOSFET的選擇。
問題3：第14講MOS管放大電路
答：51金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管52MOSFET放大電路53結型場效應管（JFET）*54砷化鎵金屬-半導體場效應管55各種放大器件電路性能比較場效應管的分類：(電場效應，單極性管，電壓控制電流)MOSFET(IGFET)絕緣柵型。
問題4：mos管去頻閃電路原理
mosfet控制電路答：所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩。
問題5：MOSFET為什么要驅動電路
mosfet控制電路答：mosfet不用驅動電路電壓電流太小芯片驅動不了舉個例子dsp的輸出只有33v而驅動mosfet或igbt至少需要15v才行同時驅動芯片還可以起到控制與電路的隔離對管子進行過流過壓保護等。
問題6：與信息電子電路中的MOSFET相比,電力MOSFET具有怎樣的結構特點才耐受高電
答：【電力場效應晶體管】1，電力場效應晶體管分為兩種類型，結型和絕緣柵型，但通常所說的是絕緣柵型中的MOS型，簡稱電力MOSFET。2，P-MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流，它的顯著特點是驅動電路簡單，驅動功率小，開關速度。
問題7：求PWM控制MOSFET的DC-DC降壓轉換器的電路圖。
答：我不能插入圖片，我給你說一下就明白了。一個MOSFET，一個二極管，一個電感和一個電容，BUCK電路本身就是一個降壓電路。電容并聯(lián)到輸出端，電感串聯(lián)到電路中，他們都是儲能元件，然后，芯片PWM信號控制MOSFET管的開斷。
問題8：各位大俠請教一個單片機控制MOS管驅動電路。謝謝您!
mosfet控制電路答：IR2103上下橋驅動兩個管子。
問題9：N溝道MOS管如何實現LED照明調光功能?
mosfet控制電路答：MOS管控制LED反饋電路圖中的R2和R1沒有必然的聯(lián)系，可以獨立設置。你說的是不是LM358的放大比設定？R5/R4？R5/R4是LM358的放大比，比值越大LM358的輸出電壓高越高，MOS管的輸出電流（LED的電流）也就越大。但隨著LM。
問題10：求助:圖中的電機控制電路圖中的mos管S極和D極之間為什么短接?_百度知
答：這里不是短接，而是接成H橋的輸出形式。就是可以控制電機的每一根線都能通過不同的mos管能和電源或0V端導通（就是每根線都有機會成為正或負）。
三 ：