一：
靶材濺射技術(shù)百科
問(wèn)題1：濺射和濺射靶材的區(qū)別和用途
答：濺射是一個(gè)過(guò)程名詞，濺射靶材：是指可通過(guò)電流束縛磁場(chǎng)方向轟擊其表面才生離子的材料一般濺射靶材可分為：金屬靶材，非金屬靶材，陶瓷靶等等。
問(wèn)題2：生產(chǎn)高純金屬濺射靶材對(duì)身體有害嗎
答：有靶材中毒的說(shuō)法，但是靶材中毒指的是靶材受到外界環(huán)境影響或者遇到氧化物等致使靶材不能導(dǎo)電等正常使用，不是說(shuō)靶材對(duì)人體有毒。一般靶材對(duì)人沒(méi)有毒的，個(gè)別化合物靶材可能對(duì)人體接觸面有傷害，接觸的時(shí)候注意隔離。
問(wèn)題3：靶材濺射過(guò)程中不起輝是什么原因啊?
靶材濺射答：2017年5月22日3起輝電源是否正常---檢查靶電源4靶與地線(xiàn)之間短路---關(guān)掉機(jī)器,把設(shè)備的濺射靶卸下來(lái),靶附近的零件仔細(xì)清洗一下;---壓靶蓋旋的過(guò)緊,沒(méi)有和靶材之間留下適當(dāng)?shù)木嚯x,調(diào)整距離即。
問(wèn)題4：濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝,都應(yīng)用在哪些領(lǐng)域?
靶材濺射答：濺射靶材的種類(lèi)較多,即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格按照不同的分類(lèi)方法,能夠?qū)R射靶材分為不同的類(lèi)別,主要分類(lèi)情況如下:按形狀分類(lèi):長(zhǎng)靶、方靶、圓靶按化學(xué)成份分類(lèi):金屬靶材(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)、合金。
問(wèn)題5：陶瓷靶材在磁控濺射時(shí)會(huì)出現(xiàn)哪些問(wèn)題?
答：功率過(guò)大，靶材裂開(kāi)建議：功率建議別一上來(lái)弄那么大，啟輝后慢慢加，最好不超100W，保持冷卻水充足。溫度過(guò)高，導(dǎo)致銦流出陶瓷靶材質(zhì)脆卻導(dǎo)熱性差，功率高的話(huà)，容易出現(xiàn)裂靶。高純銦的熔點(diǎn)在156℃，靶材工作溫度高于熔點(diǎn)。
問(wèn)題6：關(guān)于磁控濺射靶材的問(wèn)題
答：3金屬靶材濺射過(guò)程中，具有濺射速率和沉積速率。濺射速率是靶材原子被濺射逸出的情況，而沉積在基體上的情況為沉積速率，兩者在濺射氣壓等外界環(huán)境不同的情況下，并不成正比。但是需要固定工藝下的長(zhǎng)時(shí)間計(jì)算可以確定鍍膜時(shí)間的。
問(wèn)題7：磁控濺射一定要求靶材表面拋光嗎
答：磁控濺射過(guò)程中，等離子體的離子撞擊靶材，濺射出靶材的原子、原子團(tuán)、離子、電子、光子等，原子、離子、原子團(tuán)沉積到基材上形成薄膜。濺射發(fā)生在靶材表面，靶材表面物理狀態(tài)不均勻也沒(méi)有關(guān)系，濺射的時(shí)候會(huì)先濺射凸起，濺射時(shí)間。
問(wèn)題8：靶材的作用和用途?
答：1、微電子領(lǐng)域在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線(xiàn)的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求。
問(wèn)題9：靶材濺射靶材區(qū)別
答：靶材有電弧靶材、濺射靶材、蒸鍍靶材。。
問(wèn)題10：什么靶材氣體磁控濺射?
答：1銅靶氬氣濺射紅銅本色2銅靶氬氣+氧氣濺射暗紅色3鐵靶（不銹鋼靶）氬氣+氧氣濺射紫紅色4鉻靶氬氣+氧氣橘紅色差不多了吧，隨著你使用的氣體比例不同，顏色可能略有差別，建議你慢慢的加氧氣。
二：
靶材濺射技術(shù)資料
問(wèn)題1：什么叫磁控濺射工藝
答：出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面。
問(wèn)題2：磁控濺射中的靶材分為金屬合金靶和陶瓷靶,那像一些金屬氧化物的靶材為
答：首先靶材有純金屬靶，也有合金靶（兩種或者多種金屬摻在一起），還有就是一些不導(dǎo)電的靶材，好多都是氧化物的靶材。把氧化物的靶材成為陶瓷靶也不是很規(guī)范的。常用的靶材有：硅鋁靶、氧化鈦靶、錫靶、鋅鋁、鋅錫、鋅錫。
問(wèn)題3：導(dǎo)致磁控濺射化合物靶材碎裂的主要原因有哪些
答：1靶材短路后靶材成了負(fù)載，瞬間就會(huì)產(chǎn)生巨大的熱量。由于純鋁的熔點(diǎn)很低，只有660攝氏度，不但在外力的作用下靶材變形，局部還會(huì)達(dá)到熔點(diǎn)，形成溶洞；2。即便靶材不短路，如果冷卻系統(tǒng)出現(xiàn)問(wèn)題鋁靶材也容易變形；。
問(wèn)題4：磁控濺射中Ar離子轟擊靶材后他的去向如何?是一直留在靶材中還是后面會(huì)溢
靶材濺射答：這部分環(huán)繞的電子在加速運(yùn)動(dòng)中獲得了極大的動(dòng)能后繼續(xù)與氣體分子碰撞，撞擊出更多的電子和Ar正離子。Ar正離子在電場(chǎng)的作用下射向陰極靶材。Ar離子轟擊到靶材后，所帶的正電荷會(huì)被靶表面所帶的電子中和，重新變成中性原子。
問(wèn)題5：直流磁控濺射射頻磁控濺射不同的原因
答：其它都一樣，就是所用電源不一樣。直流運(yùn)用直流電源，射頻運(yùn)用交流電源（射頻屬于交流范疇，頻率是1356mhz。我們平常的生活用電頻率為50hz）。還有就是用途不太一樣，直流磁控濺射一般用于導(dǎo)電型（如金屬）靶材的濺射，射頻。
問(wèn)題6：靶材濺射靶材區(qū)別
靶材濺射答：靶材有電弧靶材、濺射靶材、蒸鍍靶材。。
問(wèn)題7：濺射的基本原理之濺射特性
答：濺射閾值的大小與離子質(zhì)量之間無(wú)明顯關(guān)系，主要取決于靶材料。對(duì)于處于周期表中同一周期的元素，濺射閾值隨著原子序數(shù)增加而減小。目前能測(cè)出10-5原子/離子的濺射率（閾值參考）。對(duì)絕大多數(shù)金屬靶材，濺射閾值為10~30eV濺射的。
問(wèn)題8：磁控濺射中的靶材分為金屬合金靶和陶瓷靶,那像一些金屬氧化物的靶材為
答：首先靶材有純金屬靶，也有合金靶（兩種或者多種金屬摻在一起），還有就是一些不導(dǎo)電的靶材，好多都是氧化物的靶材。把氧化物的靶材成為陶瓷靶也不是很規(guī)范的。常用的靶材有：硅鋁靶、氧化鈦靶、錫靶、鋅鋁、鋅錫、鋅錫。
問(wèn)題9：磁控濺射設(shè)備用什么靶材能鍍出紅色?
答：1銅靶氬氣濺射紅銅本色2銅靶氬氣+氧氣濺射暗紅色3鐵靶（不銹鋼靶）氬氣+氧氣濺射紫紅色4鉻靶氬氣+氧氣橘紅色差不多了吧，隨著你使用的氣體比例不同，顏色可能略有差別，建議你慢慢的加氧氣。
問(wèn)題10：濺射靶材的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況如何?
靶材濺射答：濺射靶材的市場(chǎng)現(xiàn)在基本已經(jīng)飽和，使用靶材的廠家對(duì)已經(jīng)使用的靶材在技術(shù)經(jīng)驗(yàn)形成規(guī)范和慣例經(jīng)驗(yàn)，別的廠家靶材要想進(jìn)入，除非使用靶材的廠家愿意承擔(dān)實(shí)驗(yàn)的費(fèi)用和風(fēng)險(xiǎn)，沒(méi)有使用過(guò)的新產(chǎn)品會(huì)尋求新供應(yīng)商。
三 ：